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MDPmap單晶和多晶的少數載流子壽命測試設備介紹:
MDPmap設計用于離線生產控制或研發、測量少子壽命、光電導率、電阻率和缺陷信息等參數的小型臺式無觸點電特性測量儀器,在穩態或短脈沖激勵下(μ-PCD)下工作。自動的樣品識別和參數設置允許在從原始生長晶片到高達95%金屬化晶片的各種工藝階段之后,容易地應用于包括外延層的各種不同樣品。
MDPmap的主要優點是靈活性高。例如,它允許集成多達四個激光器,用于從超低注入到高注入的與注入水平相關的壽命測量,或者通過使用不同的激光波長提取深度信息。包括偏光設施,以及μ-PCD或穩態注入條件的選擇??梢允褂貌煌臏y量圖形進行客戶定義的計算,以及導出用于進一步評估的主要數據。對于標準測量,預定義的標準僅通過按一個按鈕即可實現常規測量。
MDPmap單晶和多晶的少數載流子壽命測試設備產品性能:
先進材料的研究和開發
靈敏度: 對外延層監控和不可見缺陷檢測,
具有可視化測試的高分辨率
測試速度: < 5 minutes,6英寸硅片, 1mm分辨率
壽命測試范圍: 20ns到幾ms
玷污測試: 產生于坩堝和生產設備中的金屬沾污(Fe)
測試能力: 從切割的晶元片到所有工藝中的樣品
靈活性: 允許外部激發光與測試模塊進行耦合
可靠性: 模塊化緊湊型臺式檢測設備,使用時間> 99